山东Paddle-wheel机制也可用于解释硫代磷酸盐高离子电导率得原因。

产业（f）转移到SiO2/Si上的石墨烯的SEM图像。总产值（c）碳原子扩散通过Cu(111)薄膜示意图。

此外，力争在绝缘基底上生长大面积高质量石墨烯是其电子器件和光电器件应用的理想选择，但由于缺乏金属催化，目前仍然具有挑战性。突破（d）石墨烯岛的2DFWHM拉曼图。（b）由Al2O3(0001)-Cu(111)界面生长的石墨烯、亿元Cu表面生长的石墨烯GFETs的光学图像。

山东（g）界面处生长的和转移到SiO2/Si上的石墨烯的AFM图像。产业这种在这种界面处生长石墨烯的新方法可以启发晶圆尺寸单晶双层石墨烯或其他单晶二维材料的生长研究。

总产值（d）2英寸单晶Cu(111)薄膜的光学显微照片。

该工作突破了在绝缘基底上合成大面积单晶石墨烯的瓶颈，力争为下一代基于高质量石墨烯的纳米器件的研究和发展提供参考。图三、突破表征TiO2载体上Ru物种的化学状态 ©2022TheAuthors（a）RuO2/A-TiO2和RuO2/R-TiO2的H2-TPR。

这是因为RuNPs可强烈粘附在R-TiO2载体上，亿元形成曲率更大的扁平颗粒，亿元其中界面RuOx物种充当R-TiO2的锚定层，而Ru/A-TiO2由于晶格失配和表面氧原子较高的还原性而表现出典型的SMSI效应。图五、山东operandoFTIR揭示Ru/TiO2催化剂从25°C至300°C间CO2加氢的反应机理 ©2022TheAuthors（a）Ru/R-TiO2-H2和Ru/R-TiO2-air-H2的反应机理。

产业（b-c）Ru/TiO2催化剂的CO-DRIFTS。总产值（e-f）退火处理的2%Ru/R-TiO2-H2和4%Ru/R-TiO2-H2催化剂在Ar和空气中的温度依赖性CO2转化率。